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北京瑞辐特CTLD450B自动热释光剂量仪采用氟化锂热释光剂量片发光曲线的改善研究
1、采用仪器及热释光剂量片制备工艺
图1给出了CTLD系列氟化锂热释光剂量片的制备工艺流程图。
图1 CTLD系列热释光探测器制备工艺流程图
本工艺解决以下难点: LiF:Mg,Cu,P热释光材料经过热压、切片后,其热释光特性消失,采取退火工艺,恢复了探测器的热释光特性;对热释光探测器进行预处理,提高了LiF:Mg,Cu,P热释光材料的稳定性;对 LiF:Mg,Ti探测器制备工艺的进行了改进;解决了CaSO4探测器不易成型及一致性差的问题。
2、 热释光探测器剂量特性
2.1 发射光谱 LiF:Mg,Ti系列(LiF:Mg,Ti、6LiF:Mg,Ti、7LiF:Mg,Ti、LiF:Mg,Ti-M)热释光探测器发射光谱为300~600nm,其剂量测定峰峰值为400nm;LiF:Mg,Cu,P系列热释光探测器的剂量测定峰峰值为350nm;CaSO4:Dy热释光探测器的发射光谱范围为430~495nm、550~620nm,其剂量测定峰峰值为480nm和570nm。
热释光探测器TL发射光谱除和材料类型及激活剂有关外,还和辐射类型有关。图2给出了LiF:Mg,Ti热释光探测器不同射线照射的TL发射光谱。
图2、LiF:Mg,Ti热释光探测器剂量测定峰TL发射光谱A:β(90Sr) B:α(244Cm) C:γ(137Cs)
从图中可以看出,LET不同,LiF:Mg,Ti TL发射光谱有所不同。对于γ、β射线其热释光光谱在300~600nm内,对高LET的α粒子的发射光谱可扩大到600nm以上,在400nm处有一个峰,在600nm处出现第二个峰。
为取得最佳的探测效率,应选择与热释光探测器发射光谱相匹配的光电倍增管。目前国内生产的读出器多采用GB-51、52、53型光电倍增管,其光谱响应为300~600nm。有的读出器为了减少加热盘产生的热辐射(黑体辐射)信号的影响,在光电倍增管前面装有一个拒红外滤光片,滤光片的光谱范围可根据实际要求选择。
2.2 热释发光曲线 热释发光曲线是衡量探测器性能的一个重要指标。热释发光曲线的形状和探测器的性质、激活剂的类型、测量参数(加热速率)、退火条件和射线的种类有关。不同类型的热释光探测器具有不同的热释发光曲线,即使是同一种探测器,其发光曲线也将因制备工艺的差别而有所不同。
实验采用线性加热方式测量探测器的热释发光曲线。发光曲线的峰值温度通过记录仪手动打点(将笔抬起放下)的方式记录。
a. LiF:Mg,Ti系列探测器
图3、4给出LiF:Mg,Ti、LiF:Mg,Ti-M探测器的热释发光曲线。
图3、LiF:Mg,Ti探测器热释发光曲线探测器规格:3mm×3mm×0.8mm 照射剂量:3mGy 加热速率: 2.39℃.s-1
图4、LiF:Mg,Ti-M热释光探测器发光曲线
探测器规格:3mm×3mm×1.0mm 照射剂量:3mGy 加热速率:2.39℃.s-1
从图中曲线可以看出LiF:Mg,Ti热释光探测器具有四个发光峰,其峰值温度分别为130℃、175℃、200℃、223℃,峰4为剂量测定峰。LiF:Mg,Ti-M热释光探测器具有三个发光峰,其峰值温度分别为135℃、180℃、226℃,峰3为剂量测定峰。
b. LiF:Mg,Cu,P系列探测器
图5给出了LiF:Mg,Cu,P探测器的热释发光曲线。
图5、LiF:Mg,Cu,P探测器热释发光曲线探测器规格:Φ4.5×0.8mm 照射剂量:1mGy 加热速率:2.39℃.s-1
图中曲线有三个热释发光峰,其峰值温度分别为134℃、190℃、230℃,峰3为剂量测定峰。
c.CaSO4系列热释光探测器图6给出了CaSO4:Dy(Teflon)探测器的热释发光曲线。
图6、CaSO4:Dy(Teflon)探测器热释发光曲线
探测器规格:Φ5×0.7mm 照射剂量:3mGy 加热速率:2.39℃.s-1
图中发光曲线有两个发光峰,其峰值温度分别约为145℃和250℃。
结论:热释光探测器峰值的确切温度和读出器的加热速率有关。除此之外还和测量方式 (热风、电加热)有关。如采用电加热方式测量,探测器的发光温度还和探测器与加热盘的热接触等因素有关。不同读出器给出的峰值温度有所差别。
热释光探测器具有不同深度的陷阱,对应于不同深度的陷阱,在发光曲线上形成不同温度的发光峰。对用于剂量测量的热释光探测器,其发光峰越少越好。剂量测定峰应和低温峰、高温峰区分开。剂量测定峰的温度不易太高、太低,一般测定峰的温度在220℃左右较为合适。峰温太低,发光峰易受环境温度的影响;峰温太高,发光峰易受热辐射(黑体辐射)信号的干扰。
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